近日，由北京三聚陽光知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司、北京易聚律師事務(wù)所聯(lián)合代理請求人與江蘇多維科技有限公司的一件專利無效宣告結(jié)案。國家知識產(chǎn)權(quán)局作出第561928號無效決定，宣告多維公司擁有的第201310111100.7號“推挽式芯片翻轉(zhuǎn)半橋磁阻開關(guān)”發(fā)明專利權(quán)全部無效。

　　專利法第 22 條第 3 款規(guī)定：創(chuàng)造性，是指與現(xiàn)有技術(shù)相比，該發(fā)明具有突出的實質(zhì)性特點和顯著的進步，該實用新型具有實質(zhì)性特點和進步。

　　如果一項權(quán)利要求要求保護的技術(shù)方案相對于最接近現(xiàn)有技術(shù)所存在的區(qū)別，已被其他現(xiàn)有技術(shù)證據(jù)公開，并且所解決的技術(shù)問題相同，本領(lǐng)域技術(shù)人員在這些證據(jù)所給出的技術(shù)啟示下，可將上述區(qū)別應(yīng)用到最接近現(xiàn)有技術(shù)中得到該項權(quán)利要求所限定的技術(shù)方案，則該技術(shù)方案不具備創(chuàng)造性。?

　　具體到本案中，本專利權(quán)利要求1要求保護的技術(shù)方案如下： 一種推挽式半橋磁阻開關(guān)，包括兩個磁傳感芯片，每個磁傳感芯片具有一個磁感應(yīng)電阻器以及磁感應(yīng)電阻器的電氣連接焊盤，其特征在于：所述兩個磁傳感芯片電氣互連，釘扎層的磁化矢量相對彼此旋轉(zhuǎn) 180 度以使二者感應(yīng)方向反平行，構(gòu)成推挽式半橋電路，其中，兩個磁傳感芯片被布置為感應(yīng)軸方向相同但感應(yīng)方向相反，并且感應(yīng)軸的方向與兩個磁傳感芯片中心之間的連線平行或垂直，所述磁感應(yīng)電阻器包括一個或多個串聯(lián)連接的磁電阻元件，所述磁感應(yīng)電阻器的焊盤位于其所在磁傳感芯片的相鄰邊，且每一焊盤被拉長能夠容納至少兩個焊線的焊接。

　　本案證據(jù)3是 CN102298125A 號中國發(fā)明專利申請，該證據(jù)公開了一種推挽橋式磁電阻傳感器，具體公開了如下內(nèi)容：構(gòu)成該傳感器的包括一對或多對 MTJ 或 GMR 磁電阻傳感器芯片具有相似的 RH 和 RL 值，其中每對中有一個傳感器芯片相對另一個旋轉(zhuǎn) 180 度，且該傳感器芯片附于一標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體封裝引線框，磁電阻芯片通過引線相互接合，并通過引線與引線框連接，傳感器芯片可包含用夾層中導(dǎo)線串聯(lián)起來的一個陣列的 MTJ或 GMR 元件以增加整個芯片的電阻。結(jié)合附圖 6、7 所示出的半橋電路，芯片的感應(yīng)軸與兩個芯片中心之間的連線垂直，且兩芯片的感應(yīng)方向相反。

　　將本專利權(quán)利要求 1 與證據(jù) 3 相比，區(qū)別在于：（1）本專利限定的是一種推挽式半橋磁阻開關(guān)，證據(jù) 3 僅公開有磁阻傳感器芯片構(gòu)成的推挽式半橋電路，并未明確其為開關(guān)電路；（2）本專利方案 1限定兩個磁傳感器感應(yīng)軸的方向與兩個磁傳感器芯片中心之間的連線平行，與證據(jù) 3 所公開的相垂直的位置關(guān)系不同；（3）本專利限定磁感應(yīng)電阻還可以是一個磁電阻元件，證據(jù) 3 中僅公開多個磁電阻元件串聯(lián)的方式；（4）本專利限定焊盤位于其所在磁傳感芯片的相鄰邊，且每一焊盤被拉長能夠容納至少兩個焊線的焊接，證據(jù) 3 中分別在芯片的四個角位置設(shè)置共焊接用的方形或圓形焊盤，且每個焊盤僅容納一個焊線。

　　對于區(qū)別（1），證據(jù) 4 公開了由磁電阻元件進行半橋連接后構(gòu)成開關(guān)傳感器的技術(shù)方案，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，對于由磁電阻元件構(gòu)成的推挽半橋電路與相應(yīng)功能電路連接后構(gòu)成開關(guān)傳感器已是現(xiàn)有技術(shù)，在證據(jù) 4 給出的這一具體應(yīng)用的技術(shù)啟示下，本領(lǐng)域技術(shù)人員容易想到將證據(jù) 3 所公開的同樣是由磁電阻元件所構(gòu)成芯片以推挽半橋電路連接之后，配合相應(yīng)的功能電路構(gòu)成開關(guān)傳感器的這一具體傳感器結(jié)構(gòu)，上述結(jié)合無需花費創(chuàng)造性勞動。

　　對于區(qū)別（2），由此可知，證據(jù) 5 公開了如上述區(qū)別（2）所限定的芯片位置布置與其感應(yīng)軸相對關(guān)系的排布方式，同時在證據(jù) 5 中也是將相同結(jié)構(gòu)的兩個芯片通過反轉(zhuǎn) 180 度后進行半橋連接構(gòu)成推挽半橋電路的，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，上述芯片的排布方式根據(jù)封裝要求是容易進行相應(yīng)選擇和替換的，因而將證據(jù) 5 所公開的布置方式替換證據(jù) 3 所公開的布置方式無需花費創(chuàng)造性勞動。

　　對于區(qū)別（3），通常磁阻傳感器由磁阻元件構(gòu)成，根據(jù)磁阻元件的性能以及磁阻傳感器的要求，采用多個串聯(lián)構(gòu)成或是一個磁阻元件構(gòu)成磁阻傳感器均是本領(lǐng)域的常見的構(gòu)成方式，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言是顯而易見的。

　　對于區(qū)別（4），本專利中焊盤被拉長以容納至少兩個焊線的焊接已被證據(jù) 6 公開，同時對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，在芯片進行連線以構(gòu)成具體電路結(jié)構(gòu)時，焊盤上需要連接多個引線以及盡量避免引線間交叉的問題是非常常見的問題，在證據(jù) 6 已公開通過擴大連接墊、即擴大焊盤面積從而提供連接多條引線可能性的情況下，本領(lǐng)域技術(shù)人員有動機對證據(jù) 3 所公開的芯片中的焊盤結(jié)構(gòu)進行相應(yīng)改進。在證據(jù) 6 已給出擴大焊盤面積以提供多條引線連接的技術(shù)啟示下，結(jié)合上述本領(lǐng)域公知常識，對證據(jù) 3 中所公開焊盤進行相應(yīng)改進是無需花費創(chuàng)造性勞動的，并且根據(jù)實際連線需求設(shè)計相應(yīng)的焊盤位置也是常見的設(shè)計手段，能夠一定程度上提高連線自由度的技術(shù)效果也是應(yīng)運而生的，上述區(qū)別無法使本專利具備突出的實質(zhì)性特點和顯著的進步。

　　由上可見，上述 4 個區(qū)別分別被證據(jù) 4、5、6 公開或?qū)儆诒绢I(lǐng)域公知常識，且本領(lǐng)域技術(shù)人員在相應(yīng)技術(shù)啟示下可將上述手段應(yīng)用到證據(jù) 3 中以獲得權(quán)利要求 1 所限定方案 1 的技術(shù)方案，并獲得相同的技術(shù)效果，上述結(jié)合無需花費創(chuàng)造性勞動，因此，本專利權(quán)利要求 1 所限定的方案 1 相對于證據(jù) 3-6 以及公知常識的結(jié)合不具備創(chuàng)造性。